По сравнению с полупроводниками первого поколения (на основе кремния), полупроводники третьего поколения имеют большую ширину запрещенной зоны, высокую электропроводность и высокую теплопроводность. Ширина запрещенной зоны полупроводника третьего поколения почти в три раза больше, чем у полупроводников первого и второго поколения, и он обладает более сильными возможностями работы при высоком напряжении и высокой мощности. 

Характеристики устройств из карбида кремния в конкретных сценариях применения: 1. Устойчивость к высоким температурам: материалы на основе кремния требуют отвода тепла при температуре 120°C. Карбид кремния не требует отвода тепла при температуре перехода 175°C и может выдерживать высокие температуры. средах выше 600°C. 

Силовые устройства из карбида кремния имеют широкий спектр потенциальных применений в областях высокой мощности и высокого напряжения. В настоящее время они широко используются в фотоэлектрических инверторах 600–1700 В, промышленных источниках питания, транспортных средствах на новой энергии, центрах обработки данных и других областях.