По сравнению с традиционными архитектурами устройства из карбида кремния Huashentai Technology обеспечивают увеличение удельной мощности системы на 35%, обеспечивая более высокий запас мощности при том же размере. 

Системы ИБП должны быть способны всегда обеспечивать надежную и чистую электроэнергию, и каждый процент повышения эффективности имеет значение. МОП-транзисторы и диоды из карбида кремния Huashentai Technology снижают потери энергии, уменьшают размер системы и обеспечивают более высокую плотность мощности. В результате вы можете положиться на свою систему ИБП, когда она вам больше всего нужна, интегрируя больше резервного питания в одно шасси, давая пользователям больше уверенности в ограниченном пространстве.