Нитрид галлия является представителем широкозонных полупроводниковых материалов с высокой эффективностью преобразования. Решения для быстрой зарядки, разработанные на основе силовых устройств на основе нитрида галлия, используют высокоинтегрированные силовые чипы на основе нитрида галлия для получения оптимизированных периферийных схем и должны быть оснащены лишь несколькими маломощными устройствами. Решение может быть сформировано путем нажатия трубок переключателей MOS и VBUS, что может эффективно уменьшить площадь печатной платы и температуру материнской платы, эффективно увеличить плотность мощности и позволить ЖК-телевизору получить более тонкую конструкцию и снизить затраты на исследования и разработки.