X
HG65C1R120N

GaN

HG65C1R120N

HG65C1R120N ХАРАКТЕРИСТИКИ

Артикул VDS,max ID,max RDS(on),typ Корпус QG,typ QRR,typ Datasheet
HG65C1R120N 650B 17A 120mΩ DFN8*8 16.2nC 84nC HG65C1R120NPDF

HG65C1R120N Область применения

зарядное устройство GaNTBАдаптерРазъем

ПОДРОБНЕЕ

8 x 8 DFNинкапсуляция, 650 В, 120 mΩ,GaN FET. Это нормально выключенное устройство, которое сочетает в себе новейшие высоковольтные HEMT из нитрида галлия с низковольтными кремниевыми МОП-транзисторами, что обеспечивает превосходную надежность и производительность. 

Усовершенствованный динамический тест RDson, сертифицированный JEDEC, с широким запасом прочности и низким обратным восстановлением. Соответствует стандартам RoHS, REACH, безгалогеновым продуктам. Повышает эффективность схем жесткого и мягкого переключения (повышение удельной мощности, уменьшение размера и веса системы, снижение общей стоимости системы), а также совместимость с традиционными драйверами Si. 

Двумерный электронный газ нитрида галлия в D-режиме имеет высокую концентрацию, низкое прямоугольное сопротивление, пороговое напряжение каскода составляет 3 В, выдерживаемое напряжение VGS составляет ± 20 В, динамическое сопротивление менее 1,1, управление проще.


X

образец заявления

После получения образца протестируйте его в проекте приложения как можно скорее и сообщите нам о ситуации использования по электронной почте ast@asiasemitech.com.

После получения вашего запроса на образец мы свяжемся с вами в течение 24 часов. После получения образца протестируйте его в проекте приложения как можно скорее и сообщите нам об использовании по электронной почте ast@asiasemitech.com.