Нитрид галлия (GaN) позволяет использовать меньшие по размеру, легкие и более эффективные настольные источники питания переменного и постоянного тока для портативных устройств. Нитрид галлия (GaN) — полупроводниковый материал с широкой запрещенной зоной.
| Part Number | image | VDS,max | ID,max | RDS(on),typ | Package | QG,typ | QRR,typ | Datasheet |
| HG65C1R035G |  |
650B | 24A | 35mΩ | DFN8*8 | 9.5nC | 110nC |  |
| HG65C1R120N |  |
650B | 17A | 120mΩ | DFN8*8 | 16.2nC | 84nC | |
| HG65C1R200N |  |
650B | 12A | 200mΩ | DFN8*8 | 11.9nC | 53nC | |
